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海太半导体两行动晋升三代DDR4产物良率
宣明时:2019-12-17
为有必要升职有机物良率,升职机构相互合作力,海太半导体芯片设备从三方面通过触感尽全力升职三代试管DDR4出有机类物质。1是修复考试头开战范本,将PIN针型变革时代为片式插槽型,有必要以防止考试基材考试头PIN针的老是损害,有效保障有机物成品率。二修复单一单款考试控点托板布置,途经时候中减薄考试控点托板,使有机物锡球充分开战考试,得以升职尽早考试有机物分辨率,始终升职有机物成品率。途经时候中往上攻坚,海太半导体芯片设备DDR4有机物良率已从96%升职至97.69%。 上一条:
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